DDR6 (1) 썸네일형 리스트형 삼성전자 DDR6, CXL2.0 도입 (feat. 예스티 HBM용 웨이퍼 가압 장비) 삼성전자의 최신 기술인 DDR6와 CXL2.0은 데이터 전송 속도와 성능을 향상하며, 고성능 컴퓨팅 및 데이터 센터 분야에서의 경쟁력을 강화합니다. 또한, 예스티와의 이번 협력으로 HBM용 웨이퍼 가압 장비 생산이 확대될 전망입니다. 그중, 언더필 단계의 중요성을 알아보고 삼성전자 HBM 시장에 대해 알려드립니다. 목차 1. 삼성전자 체새대 D램 및 CXL2.0도입 1-1. DDR6 개발 및 특징 1-2. CXL 2.0 메모리 상용화 준비 2. 예스티와 삼성전자의 HBM용 웨이퍼 가압 장비 계약 2-1. 언더필(Underfill) 단계의 중요성 2-2. HBM용 장비 추가 공급 전망 1. 삼성전자 차세대 D램 및 CXL 2.0 도입 삼성전자는 메모리 반도체 분야에서의 선도적인 위치를 계속 유지하고 있습니.. 이전 1 다음
