전체 글 (79) 썸네일형 리스트형 HKMG(High-k Metal Gate) 기술의 중요성과 이해 (feat. 삼성전자 DDR5) 반도체 제조 분야에서 HKMG(High-k Metal Gate) 기술은 전력 소모를 줄이고, 노이즈를 감소시키며, 성능을 향상시키는 중요한 역할을 합니다. HKMG 기술의 중요성과 발전 방향성에 대해 깊이 있는 분석을 위해, 반도체 제조 공정 및 삼성전자의 DDR5를 통하여 해당 기술을 설명합니다. 목차 1. HKMG(High-k Metal Gate) 기술의 중요성 1-1. 전력 소모 감소 1-2. 노이즈 감소 2. HKMG 기술의 진화 2-1. 성능 향상 2-2. 제조 공정의 변화 3. HKMG 기술의 현재와 전망, 삼성전자 DDR5 1. HKMG(High-k Metal Gate) 기술의 중요성 1-1. 전력 소모 감소 반도체 제조 분야에서 전력 소모는 중요한 고려사항입니다. 과거의 실리콘 게이트 기술.. PVD 공정의 원리와 특성(feat. 코팅 재료 선택, 기술/장비 선택) PVD(Physical Vapor Deposition) 공정은 고온에서 물질을 기체 상태로 변화시킨 후, 저온에서 다시 고체로 증착시키는 공정입니다. 이 글에서는 PVD 공정의 기본 원리부터, PVD 코팅의 장점과 선택 시 고려해야 할 핵심 요소까지 다양한 정보를 제공합니다. PVD 공정이 어떻게 다양한 산업 분야에 이용되는지, 그리고 어떻게 이 공정을 선택하고 이해하는지 알아보세요. 목차 1. PVD 공정의 기본 이해 1-1. PVD 공정의 원리 1-2. PVD와 CVD의 차이 2. PVD 코팅의 장점 2-1. 표면 특성 개선 2-2. 다양한 적용 분야 3. PVD 공정 선택 시 고려해야 할 요소 3-1. 코팅 재료 선택 3-2. 기술 및 장비 선택 1. PVD 공정의 기본 이해 1-1. PVD 공정의.. 반도체 제조와 빅데이터 - 빅데이터 아키텍처와 제조 분석(feat. 수율, OPC) 반도체 제조 공정은 복잡한 과정을 거치며, 이 과정에서 발생하는 대량의 데이터 분석은 제조 효율성과 품질 향상에 필수적 요소입니다. AI는 이러한 데이터 분석을 지원하며, 제조 과정의 최적화와 품질 관리에 큰 도움을 제공합니다. 빅데이터와 AI의 활용 방법 및 도구/기법을 살펴보고, 빅데이터의 아키텍처와 제조 분석 방법을 통해 빅데이터의 중요성을 알아보겠습니다. 목차 1. 반도체 제조에서의 빅데이터의 중요성 1-1. 빅데이터 분석의 기본 개념 1-2. 제조 프로세스의 빅데이터 분석 2. 빅데이터 아키텍처와 제조 분석 2-1. 빅데이터 아키텍처의 구성요소 2-2. 제조 분석의 혁신적 방법론 3. AI 응용 프로그램과 반도체 제조 3-1. AI 기반의 제조 프로세스 최적화 3-2. 반도체 제조의 AI 도구와.. HBM 열 개선 및 Joint 열 저항 최적화 (feat. TCB-NCF, MR-MUF, 12스택 등) HBM은 고성능 컴퓨팅 분야에서 중요한 역할을 하는 메모리 기술입니다. HBM의 성능과 용량의 지속적인 증가로 인해, 그에 따른 열적 도전이 계속해서 증가하고 있습니다. 이러한 도전을 극복하기 위해, HBM의 열 성능 최적화, Joint Thermal Resistance의 개선, 그리고 12 Stacks 이상의 HBM 확장 전략과 같은 다양한 연구와 기술 개발이 필요합니다. 이러한 연구와 기술 개발은 HBM의 성능, 안정성, 그리고 수명을 향상시키는 데 중요한 역할을 할 것입니다. 목차 1. HBM의 열 개선의 중요성 1-1. 고성능 컴퓨팅(HPC)의 급증하는 요구 1-2. HBM의 대역폭 및 용량 증가 예상 2. Joint Thermal Resistance 최적화 2-1. TCB-NCF와 MR-MUF의.. 삼성전자 DDR6, CXL2.0 도입 (feat. 예스티 HBM용 웨이퍼 가압 장비) 삼성전자의 최신 기술인 DDR6와 CXL2.0은 데이터 전송 속도와 성능을 향상하며, 고성능 컴퓨팅 및 데이터 센터 분야에서의 경쟁력을 강화합니다. 또한, 예스티와의 이번 협력으로 HBM용 웨이퍼 가압 장비 생산이 확대될 전망입니다. 그중, 언더필 단계의 중요성을 알아보고 삼성전자 HBM 시장에 대해 알려드립니다. 목차 1. 삼성전자 체새대 D램 및 CXL2.0도입 1-1. DDR6 개발 및 특징 1-2. CXL 2.0 메모리 상용화 준비 2. 예스티와 삼성전자의 HBM용 웨이퍼 가압 장비 계약 2-1. 언더필(Underfill) 단계의 중요성 2-2. HBM용 장비 추가 공급 전망 1. 삼성전자 차세대 D램 및 CXL 2.0 도입 삼성전자는 메모리 반도체 분야에서의 선도적인 위치를 계속 유지하고 있습니.. HBM DRAM - 고대역폭 메모리 Architecture // HBM2, HBM3, TSV, 3D 스택 DRAM HBM DRAM 기술의 핵심 아키텍처와 특징을 탐색하며, 고대역폭 메모리의 혁신적인 변화와 그 응용 분야를 알아봅니다. HBM2와 HBM3의 차이점, TSV 기술의 중요성, 그리고 3D 스택 DRAM 솔루션의 장점을 중점적으로 다룹니다. 목차 1. HBM DRAM 기술의 개요 1-1. Core DRAM Die의 특징 1-2. Base Logic Die의 구성 2. HBM의 세대별 비교 2-1. HBM2와 HBM3의 주요 차이점 2-2. JEDEC에 의한 HBM 표준화의 중요성 3. HBM DRAM의 테스트 및 적용 분야 3-1. TSV 기술의 중요성과 테스트 방법 3-2. HBM의 주요 응용 분야와 장점 1. HBM DRAM 기술의 개요 HBM (High Bandwidth Memory) DRAM은 현대 .. CMOS 2.0 : 초소형 트랜지스터, Imec의 Sub-1nm 로드맵 Imec의 Sub-1nm 트랜지스터와 3D-Stacked CMOS 2.0 기술 로드맵을 알려드립니다. 특히, 이 기술이 어떻게 반도체 산업의 미래를 바꿀 것인지, 최신 Trend와 함께 향후 미래 기술 전망을 확인해 봅시다. 또, 기존 CMOS 기술과의 차이를 알아보고 트랜지스터 아키텍처 및 노드 로드맵을 알려드립니다. 목차 1. Imec의 Sub-1nm 트랜지스터 로드맵 소개 1-1. 기술의 특징과 장점 1-2. 적용 분야와 시장 전망 2. 3D-Stacked CMOS 2.0 기술의 중요성 2-1. 3D-Stacked CMOS 2.0의 구조와 원리 2-2. 기존 CMOS와의 차이점 3. 미래의 반도체 기술 트렌드 3-1. 다가오는 기술 발전과 시장 영향 1. Imec의 Sub-1nm 트랜지스터 로드맵 .. 반도체 CFET 기술의 이해 : TSMC의 3D 트랜지스터 전략 // CMOS와 GAA 반도체 분야의 최신 기술 노드 & Architecture인 CFET에 대한 내용을 알려드립니다. TSMC의 3D 트랜지스터 전략, 트랜지스터 면적의 최적화 중요성, 그리고 CMOS와 GAA의 차이점을 통해 반도체 기술의 전망을 알아보고, 산업의 혁신을 주도하는 CFET 기술에 대해 살펴봅니다. 목차 1. 반도체 CFET 기술의 이해 1-1. CFET 기술의 기본 원리 1-2. TSMC의 CFET 전략과 혁신 2. 3D 반도체와 트랜지스터 면적 줄이기 2-1. 3D 반도체의 중요성 2-2 트랜지스터 면적 줄이기의 필요성 3. CMOS와 GAA의 차이점 3-1. CMOS의 기본 구조와 원리 3-2. GAA의 특징과 적용 3-3. 삼성전자와 TSMC의 GAA 전략 비교 1. 반도체 CFET 기술의 이해 반도체.. 이전 1 2 3 4 5 ··· 10 다음
