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IT & 과학/반도체 기술 공정

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PVD 공정의 원리와 특성(feat. 코팅 재료 선택, 기술/장비 선택) PVD(Physical Vapor Deposition) 공정은 고온에서 물질을 기체 상태로 변화시킨 후, 저온에서 다시 고체로 증착시키는 공정입니다. 이 글에서는 PVD 공정의 기본 원리부터, PVD 코팅의 장점과 선택 시 고려해야 할 핵심 요소까지 다양한 정보를 제공합니다. PVD 공정이 어떻게 다양한 산업 분야에 이용되는지, 그리고 어떻게 이 공정을 선택하고 이해하는지 알아보세요. 목차 1. PVD 공정의 기본 이해 1-1. PVD 공정의 원리 1-2. PVD와 CVD의 차이 2. PVD 코팅의 장점 2-1. 표면 특성 개선 2-2. 다양한 적용 분야 3. PVD 공정 선택 시 고려해야 할 요소 3-1. 코팅 재료 선택 3-2. 기술 및 장비 선택 1. PVD 공정의 기본 이해 1-1. PVD 공정의..
HBM 열 개선 및 Joint 열 저항 최적화 (feat. TCB-NCF, MR-MUF, 12스택 등) HBM은 고성능 컴퓨팅 분야에서 중요한 역할을 하는 메모리 기술입니다. HBM의 성능과 용량의 지속적인 증가로 인해, 그에 따른 열적 도전이 계속해서 증가하고 있습니다. 이러한 도전을 극복하기 위해, HBM의 열 성능 최적화, Joint Thermal Resistance의 개선, 그리고 12 Stacks 이상의 HBM 확장 전략과 같은 다양한 연구와 기술 개발이 필요합니다. 이러한 연구와 기술 개발은 HBM의 성능, 안정성, 그리고 수명을 향상시키는 데 중요한 역할을 할 것입니다. 목차 1. HBM의 열 개선의 중요성 1-1. 고성능 컴퓨팅(HPC)의 급증하는 요구 1-2. HBM의 대역폭 및 용량 증가 예상 2. Joint Thermal Resistance 최적화 2-1. TCB-NCF와 MR-MUF의..
CMOS 2.0 : 초소형 트랜지스터, Imec의 Sub-1nm 로드맵 Imec의 Sub-1nm 트랜지스터와 3D-Stacked CMOS 2.0 기술 로드맵을 알려드립니다. 특히, 이 기술이 어떻게 반도체 산업의 미래를 바꿀 것인지, 최신 Trend와 함께 향후 미래 기술 전망을 확인해 봅시다. 또, 기존 CMOS 기술과의 차이를 알아보고 트랜지스터 아키텍처 및 노드 로드맵을 알려드립니다. 목차 1. Imec의 Sub-1nm 트랜지스터 로드맵 소개 1-1. 기술의 특징과 장점 1-2. 적용 분야와 시장 전망 2. 3D-Stacked CMOS 2.0 기술의 중요성 2-1. 3D-Stacked CMOS 2.0의 구조와 원리 2-2. 기존 CMOS와의 차이점 3. 미래의 반도체 기술 트렌드 3-1. 다가오는 기술 발전과 시장 영향 1. Imec의 Sub-1nm 트랜지스터 로드맵 ..
반도체 CFET 기술의 이해 : TSMC의 3D 트랜지스터 전략 // CMOS와 GAA 반도체 분야의 최신 기술 노드 & Architecture인 CFET에 대한 내용을 알려드립니다. TSMC의 3D 트랜지스터 전략, 트랜지스터 면적의 최적화 중요성, 그리고 CMOS와 GAA의 차이점을 통해 반도체 기술의 전망을 알아보고, 산업의 혁신을 주도하는 CFET 기술에 대해 살펴봅니다. 목차 1. 반도체 CFET 기술의 이해 1-1. CFET 기술의 기본 원리 1-2. TSMC의 CFET 전략과 혁신 2. 3D 반도체와 트랜지스터 면적 줄이기 2-1. 3D 반도체의 중요성 2-2 트랜지스터 면적 줄이기의 필요성 3. CMOS와 GAA의 차이점 3-1. CMOS의 기본 구조와 원리 3-2. GAA의 특징과 적용 3-3. 삼성전자와 TSMC의 GAA 전략 비교 1. 반도체 CFET 기술의 이해 반도체..
에이직랜드의 2023년 차세대 패키지 - RDL 인터포저, 실리콘 브릿지, 히트 스프레더 // 첨단 반도체 패키징 기술(2/3) 에이직랜드는 TSMC의 CoWoS 기술 개선을 위한 차세대 패키징(RDL 인터포저, 실리콘 브릿지, 히트 스프레더 등)을 개발 중이며, 성능과 파워의 향상을 목표로 하고 있습니다. RDL 인터포저와 실리콘 브릿지, 히트 스프레더의 결합으로 비용 절감 및 발열 감소를 추구합니다. 국내 유일의 TSMC 디자인하우스로서, 글로벌 시장 진출을 계획 중입니다. 목차 2. 에이직랜드의 차세대 패키지 2-1. CoWoS와의 차이점 2-1-1. CoWoS 기술의 핵심과 차별점 2-1-2. CoWoS의 다양한 유형 2-2. 성능과 파워 개선 2-2-1. 패키징 기술의 진화와 차세대 패키징 개발 2-2-2. CoWoS 기술의 특징과 응용 2-2-3. 에이직랜드의 차세대 패키징 기술 2. 에이직랜드의 차세대 패키지 에이직랜..
실리콘 인터포저란? - 기본 원리와 구조, 주요 용도 // 첨단 반도체 패키징 기술(1/3) 실리콘 인터포저는 첨단 반도체 패키징 기술로 다양한 다이를 효과적으로 연결하는 역할을 하며, TSMC의 CoWoS를 개선한 에이직랜드의 차세대 패키징 기술에 대한 설명입니다. 이 기술은 성능, 전력, 비용 개선을 목표로 하며, CoWoS-S, CoWoS-R, CoWoS-L 등 다양한 패키징 형태로 제공됩니다. 실리콘 인터포저의 주요 용도와 기술에 대한 정보를 제공하고 있습니다. 목차 1. 실리콘 인터포저란 무엇인가? 1-1. 기본 원리와 구조 1-1-1. CoWoS 기술의 특징 1-1-2. 에이직랜드의 차세대 패키징 기술 1-2. 주요 용도 1-2-1. 실리콘 인터포저의 주요 활용 분야 1-2-2. 실리콘 인터포저의 활용 이유 1. 실리콘 인터포저란 무엇인가? 실리콘 인터포저는 반도체 패키징 기술의 한 ..
3D IC 설계 - TSV // IC 설계의 주요 문제점 & 향후 기술 전망 TSV를 활용한 3D IC 설계는 반도체 업계의 새로운 트렌드로 부상하였습니다. 이 기술은 강력한 성능과 폼 팩터 장점을 제공하며 SoC 개발 비용을 절감할 수 있습니다. 본 글을 통해 3D IC 설계의 주요 문제점과 요구사항에 대해 깊이 있게 알아보겠습니다. 목차 1. TSV 기반 3D IC 설계의 부상 1-1. 3D IC의 주요 장점 1-2. SoC와의 비교 2. 3D IC 설계의 주요 문제점 2-1. 디자인 및 프로세스 관점의 버그 2-2. 대량생산 구조로의 전환과 관련된 문제 3. 3D IC의 미래 전망 3-1. 다양한 애플리케이션 영역의 영향 3-2. 융합 테크놀로지의 현재 상태와 전망 1. TSV 기반 3D IC 설계의 부상 TSV(Through-Silicon Via) 기반의 3D IC 설계는..
TSV이란? - Through Silicon Via 기본 개념, 작동 원리, 장점, 제조 과정, 20203년 기술 동향 TSV(Through-Silicon Via) 기술은 반도체 분야에서 큰 혁신을 가져왔습니다! 이번 포스팅을 통해 TSV 기술의 기본 개념, 작동 원리, 장점, 제조 과정, 그리고 다양한 응용분야에 대해 알아보세요. 또한, 2023년 최신 기술 동향과 함께 TSV의 미래까지 알려드립니다. 목차 1. TSV 기술의 기본 개념 1.1 TSV란 무엇인가? 1.2 TSV의 역사와 발전 2. TSV 기술의 작동 원리 및 제조 과정 2.1 TSV의 작동 원리 2.2 TSV의 제조 과정 3. TSV 기술의 장점 및 응용분야 3.1 TSV의 주요 장점 3.2 TSV의 다양한 응용분야 3.3 TSV 기술의 미래 전망 1. TSV 기술의 기본 개념 반도체 기술의 발전은 끊임없이 진행되고 있으며, 그중에서도 TSV(Throu..
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