IT & 과학 (59) 썸네일형 리스트형 PVD 공정의 원리와 특성(feat. 코팅 재료 선택, 기술/장비 선택) PVD(Physical Vapor Deposition) 공정은 고온에서 물질을 기체 상태로 변화시킨 후, 저온에서 다시 고체로 증착시키는 공정입니다. 이 글에서는 PVD 공정의 기본 원리부터, PVD 코팅의 장점과 선택 시 고려해야 할 핵심 요소까지 다양한 정보를 제공합니다. PVD 공정이 어떻게 다양한 산업 분야에 이용되는지, 그리고 어떻게 이 공정을 선택하고 이해하는지 알아보세요. 목차 1. PVD 공정의 기본 이해 1-1. PVD 공정의 원리 1-2. PVD와 CVD의 차이 2. PVD 코팅의 장점 2-1. 표면 특성 개선 2-2. 다양한 적용 분야 3. PVD 공정 선택 시 고려해야 할 요소 3-1. 코팅 재료 선택 3-2. 기술 및 장비 선택 1. PVD 공정의 기본 이해 1-1. PVD 공정의.. 반도체 제조와 빅데이터 - 빅데이터 아키텍처와 제조 분석(feat. 수율, OPC) 반도체 제조 공정은 복잡한 과정을 거치며, 이 과정에서 발생하는 대량의 데이터 분석은 제조 효율성과 품질 향상에 필수적 요소입니다. AI는 이러한 데이터 분석을 지원하며, 제조 과정의 최적화와 품질 관리에 큰 도움을 제공합니다. 빅데이터와 AI의 활용 방법 및 도구/기법을 살펴보고, 빅데이터의 아키텍처와 제조 분석 방법을 통해 빅데이터의 중요성을 알아보겠습니다. 목차 1. 반도체 제조에서의 빅데이터의 중요성 1-1. 빅데이터 분석의 기본 개념 1-2. 제조 프로세스의 빅데이터 분석 2. 빅데이터 아키텍처와 제조 분석 2-1. 빅데이터 아키텍처의 구성요소 2-2. 제조 분석의 혁신적 방법론 3. AI 응용 프로그램과 반도체 제조 3-1. AI 기반의 제조 프로세스 최적화 3-2. 반도체 제조의 AI 도구와.. HBM 열 개선 및 Joint 열 저항 최적화 (feat. TCB-NCF, MR-MUF, 12스택 등) HBM은 고성능 컴퓨팅 분야에서 중요한 역할을 하는 메모리 기술입니다. HBM의 성능과 용량의 지속적인 증가로 인해, 그에 따른 열적 도전이 계속해서 증가하고 있습니다. 이러한 도전을 극복하기 위해, HBM의 열 성능 최적화, Joint Thermal Resistance의 개선, 그리고 12 Stacks 이상의 HBM 확장 전략과 같은 다양한 연구와 기술 개발이 필요합니다. 이러한 연구와 기술 개발은 HBM의 성능, 안정성, 그리고 수명을 향상시키는 데 중요한 역할을 할 것입니다. 목차 1. HBM의 열 개선의 중요성 1-1. 고성능 컴퓨팅(HPC)의 급증하는 요구 1-2. HBM의 대역폭 및 용량 증가 예상 2. Joint Thermal Resistance 최적화 2-1. TCB-NCF와 MR-MUF의.. HBM DRAM - 고대역폭 메모리 Architecture // HBM2, HBM3, TSV, 3D 스택 DRAM HBM DRAM 기술의 핵심 아키텍처와 특징을 탐색하며, 고대역폭 메모리의 혁신적인 변화와 그 응용 분야를 알아봅니다. HBM2와 HBM3의 차이점, TSV 기술의 중요성, 그리고 3D 스택 DRAM 솔루션의 장점을 중점적으로 다룹니다. 목차 1. HBM DRAM 기술의 개요 1-1. Core DRAM Die의 특징 1-2. Base Logic Die의 구성 2. HBM의 세대별 비교 2-1. HBM2와 HBM3의 주요 차이점 2-2. JEDEC에 의한 HBM 표준화의 중요성 3. HBM DRAM의 테스트 및 적용 분야 3-1. TSV 기술의 중요성과 테스트 방법 3-2. HBM의 주요 응용 분야와 장점 1. HBM DRAM 기술의 개요 HBM (High Bandwidth Memory) DRAM은 현대 .. CMOS 2.0 : 초소형 트랜지스터, Imec의 Sub-1nm 로드맵 Imec의 Sub-1nm 트랜지스터와 3D-Stacked CMOS 2.0 기술 로드맵을 알려드립니다. 특히, 이 기술이 어떻게 반도체 산업의 미래를 바꿀 것인지, 최신 Trend와 함께 향후 미래 기술 전망을 확인해 봅시다. 또, 기존 CMOS 기술과의 차이를 알아보고 트랜지스터 아키텍처 및 노드 로드맵을 알려드립니다. 목차 1. Imec의 Sub-1nm 트랜지스터 로드맵 소개 1-1. 기술의 특징과 장점 1-2. 적용 분야와 시장 전망 2. 3D-Stacked CMOS 2.0 기술의 중요성 2-1. 3D-Stacked CMOS 2.0의 구조와 원리 2-2. 기존 CMOS와의 차이점 3. 미래의 반도체 기술 트렌드 3-1. 다가오는 기술 발전과 시장 영향 1. Imec의 Sub-1nm 트랜지스터 로드맵 .. 반도체 CFET 기술의 이해 : TSMC의 3D 트랜지스터 전략 // CMOS와 GAA 반도체 분야의 최신 기술 노드 & Architecture인 CFET에 대한 내용을 알려드립니다. TSMC의 3D 트랜지스터 전략, 트랜지스터 면적의 최적화 중요성, 그리고 CMOS와 GAA의 차이점을 통해 반도체 기술의 전망을 알아보고, 산업의 혁신을 주도하는 CFET 기술에 대해 살펴봅니다. 목차 1. 반도체 CFET 기술의 이해 1-1. CFET 기술의 기본 원리 1-2. TSMC의 CFET 전략과 혁신 2. 3D 반도체와 트랜지스터 면적 줄이기 2-1. 3D 반도체의 중요성 2-2 트랜지스터 면적 줄이기의 필요성 3. CMOS와 GAA의 차이점 3-1. CMOS의 기본 구조와 원리 3-2. GAA의 특징과 적용 3-3. 삼성전자와 TSMC의 GAA 전략 비교 1. 반도체 CFET 기술의 이해 반도체.. DDR5 SDRAM의 모든 것 // 기술적 특징, DDR4와의 차이점, 시장 전망 DDR5 SDRAM의 기술적 특징과 시장 전망을 중심으로, DDR4와의 주요 차이점 및 성능 향상 요소를 탐구합니다. AMD, Intel, YMTC, CXMT 등 주요 제조사의 DDR5 관련 제품과 발전 동향을 소개하며, 메모리 기술의 미래와 DDR5의 중요성을 강조합니다. DDR5의 성능 향상과 전력 효율성을 통해 현대 컴퓨팅 환경의 새로운 메모리 기준을 세우는 중요한 발전을 살펴보세요. 목차 1. DDR5 SDRAM의 기본 개요 1-1. DDR5의 등장 배경 1-2. DDR5와 DDR4의 주요 차이점 2. DDR5의 기술적 특징 2-1. 전력 소비와 대역폭의 향상 2-2. Decision Feedback Equalization (DFE)의 도입 2-3. DDR5의 주요 표준 및 발매일 3. DDR5의.. 에이직랜드의 2023년 차세대 패키지 - RDL 인터포저, 실리콘 브릿지, 히트 스프레더 // 첨단 반도체 패키징 기술(2/3) 에이직랜드는 TSMC의 CoWoS 기술 개선을 위한 차세대 패키징(RDL 인터포저, 실리콘 브릿지, 히트 스프레더 등)을 개발 중이며, 성능과 파워의 향상을 목표로 하고 있습니다. RDL 인터포저와 실리콘 브릿지, 히트 스프레더의 결합으로 비용 절감 및 발열 감소를 추구합니다. 국내 유일의 TSMC 디자인하우스로서, 글로벌 시장 진출을 계획 중입니다. 목차 2. 에이직랜드의 차세대 패키지 2-1. CoWoS와의 차이점 2-1-1. CoWoS 기술의 핵심과 차별점 2-1-2. CoWoS의 다양한 유형 2-2. 성능과 파워 개선 2-2-1. 패키징 기술의 진화와 차세대 패키징 개발 2-2-2. CoWoS 기술의 특징과 응용 2-2-3. 에이직랜드의 차세대 패키징 기술 2. 에이직랜드의 차세대 패키지 에이직랜.. 이전 1 2 3 4 5 ··· 8 다음
